導語：2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。

2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM，也表示 1c nm 工藝將用于多款其它 DRAM 內存產品。

SK海力士以 1b DRAM 平臺擴展的方式開發了 1c 工藝。SK 海力士的技術團隊認為這樣不僅可以減少工藝高度化過程中可能產生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界內憑最高性能 DRAM 受到認可的 SK 海力士 1b 工藝優勢轉移到 1c 工藝。而且，SK 海力士在部分EUV工藝中開發并適用了新材料，也在整個工藝中針對EUV適用工藝進行了優化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在1c工藝上也進行了設計技術革新，與前一代1b工藝相比，其生產率提高了30%以上。

來源IT之家

據IT之家報道，此次1c DDR5 DRAM 將主要用于高性能數據中心，其運行速度為 8Gbps（每秒 8 千兆比特），與前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。隨著 AI 時代的到來，數據中心的耗電量在繼續增加，如果運營云服務的全球客戶將 SK 海力士 1c DRAM 采用到數據中心，公司預測其電費最高能減少 30%。

SK 海力士 DRAM 開發擔當副社長金鍾煥在新聞稿中表示：“1c 工藝技術兼備著最高性能和成本競爭力，公司將其應用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。今后公司也將堅守 DRAM 市場的領導力，鞏固最受客戶信賴的 AI 用存儲器解決方案企業的地位。”