勁爆!華為更新IGBT、芯片封裝等多項(xiàng)技術(shù)專利
2021-12-02 18:25:27閱讀量:552
圖:IGBT發(fā)明專利說(shuō)明
從公開(kāi)的消息顯示,HW11月更新了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及相關(guān)芯片和制備方法”的發(fā)明專利,主要用于提高IGBT在大電感負(fù)載電路中的性能。
而HW其他同期公布的專利還包括輔助駕駛系統(tǒng)、車載攝像頭和車載驅(qū)動(dòng)芯片等,由于目前消費(fèi)領(lǐng)域IGBT大部分用于電動(dòng)汽車,因此HW正深度研發(fā)電動(dòng)汽車底層的器件和方案可能性極高。
圖:HW深度賦能的AITO品牌
無(wú)獨(dú)有偶,12月2日,HW深度合作的賽力斯汽車發(fā)布了“由HW深度賦能”的全新高端品牌AITO。HW智能汽車解決方案BU CEO余承東在發(fā)布會(huì)上稱,該車是首款搭載最新鴻蒙生態(tài)(HarmonyOS)座艙的車型,聯(lián)系起來(lái)實(shí)在引人遐想。
此外,HW近期還公布了兩項(xiàng)芯片封裝技術(shù)方面的專利,分別名為“封裝芯片及封裝芯片的制作方法”、“芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝組件的制作方法”。
圖:芯片封裝發(fā)明專利
2021年6月,HW在武漢建立首家光通信芯片制造工廠的消息傳出。盡管尚不清楚該項(xiàng)封裝技術(shù)具體用于何種芯片,但隨著供應(yīng)鏈封鎖的持續(xù),5G通信、汽車、手機(jī)等業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)步入深水區(qū),HW深度介入更廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和制造已經(jīng)成為不得不走的一步。
有業(yè)內(nèi)人士透露,這次HW對(duì)外公開(kāi)的芯片技術(shù)專利,和此前曝光的“雙芯疊加”技術(shù)相關(guān),包含了3D封裝、異構(gòu)等等都在這個(gè)專利范圍之內(nèi)。
此前外界猜測(cè),“雙芯疊加”技術(shù)用于手機(jī)SoC,使用多顆14nm芯片疊加接近實(shí)現(xiàn)7nm芯片的效能,類似于近年因摩爾定律極限而大火的Chiplet(小芯片)技術(shù)。

LM1117IMPX-3.3/NOPB/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.7147 | |
DRV8874PWPR/有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 | 3.45 | |
LM358BIDR/運(yùn)算放大器 | 0.35 | |
LMR33630ADDAR/DC-DC電源芯片 | 2.01 | |
LM5164DDAR/DC-DC電源芯片 | 3.19 | |
ADS1299IPAGR/模擬前端(AFE) | 222.43 | |
TPS82130SILR/DC-DC電源模塊 | 6.13 | |
TPL5010DDCR/定時(shí)器/計(jì)時(shí)器 | 1.0884 | |
LM27762DSSR/電荷泵 | 3.11 | |
TLV9062IDR/運(yùn)算放大器 | 0.3242 |
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