9月12日，英飛凌在官網宣布：已成功開發出全球首款300 mm（12英寸）功率氮化鎵（GaN）晶圓技術。

來源英飛凌

與 200 mm 晶圓相比，300 mm 晶圓上的芯片生產在技術上更先進，效率更高，因為更大的晶圓直徑每個晶圓可容納 2.3 倍的芯片。

300 mm GaN 技術可以提高效率性能，縮短尺寸、減輕重量，降低成本。除此以外，300 mm GaN 技術通過可擴展性確保了客戶供應穩定性。

該技術的突破將加速 GaN 在汽車、工業和消費電子等行業的采用。包括AI系統的電源供應器、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統。

英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創新實力和全球團隊專注工作的結果，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統創新領導者的地位。”

作為電源系統的領導者，英飛凌掌握了所有三種相關材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

300 mm GaN 技術的一個顯著優勢是可以利用現有的 300 mm 硅制造設備，因為氮化鎵和硅在制造工藝上非常相似。完全按比例生產的 300 mm GaN 將有助于在 RDS（on） 級別與 GaN 成本持平，這意味著同類 Si 和 GaN 產品的成本持平。

來源英飛凌

目前，英飛凌在其現有的 300 mm 硅生產中，成功地在一條集成試驗線上制造 300 mm GaN 晶圓，并將根據市場需求進一步擴大 GaN 產能。

300 mm GaN 技術能夠幫助英飛凌塑造不斷增長的市場。預計到2030年，該市場將達到數十億美元。

據悉，首批 300 mm GaN 晶圓將于 2024 年 11 月在慕尼黑展會上亮相。