“矽普半導體”成立于2017年10月，是一家專業從事于半導體分立器件研發、設計及銷售的高新技術企業。公司專注于功率半導體器件進口替代，努力成為國內領先，國際知名的行業廠商。公司總部位于合肥市高新區，研發中心位于上海張江高科，深圳龍華區設有辦事處。公司技術人員占比30%，核心成員均有行業內十余年的研發經驗，精通功率半導體器件的技術、應用、市場。 矽普半導體產品以20V-250V的中低壓MOSFET和1200V高壓 SiC MOS為主，公司產品型號豐富，廣泛運用于消費類電子與家電、新能源、工業馬達驅動、汽車電子等市場領域。

 

矽普半導體產品已導入國內知名企業，有著一套完整的研發、銷售和服務體系。結合自身技術優勢，與行業內知名晶圓代工廠和一線封裝測試代工廠緊密合作，在芯片設計、晶圓流片、封裝測試、可靠性測試方面建立了完善的質量管理體系，確保產品優質和供貨穩定。

 

 

 產品類型及市場應用

 

1、小電流MOSFET類型：擊穿電壓選擇范圍-100V至100V，電流選擇范圍100mA至10A，并有多種流行封裝外形可供選擇。小電流MOSFET通過采用先進的溝槽柵工藝技術和封裝工藝技術，使產品具有體積小、低導通阻抗、低閾值電壓、高可靠性等特點。主要應用于消費類電子，智能家居，智能穿戴，移動通訊、鋰電保護等多種應用領域。

 

2、低壓MOSFET類型：產品擊穿電壓選擇范圍-60V至100V，電流選擇范圍3.5A至150A，封裝外形包括TO-252、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多種封裝，主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理，對設備正常運行起到關鍵作用。主要應用于工業新能源類，散熱風扇、光伏新能源、戶外便攜儲能、智能家居、BMS保護等多種應用領域。

 

3、SGT MOSFET類型：與傳統溝槽型MOSFET相比，SGT MOSFET采用了更優的工藝設計，內阻低、開關損耗小，同等功耗下芯片面積可減少40%，EAS能力更強，具有高穩定性和可靠性、高開關速度、高應用效率等優點。有TO-252、TO-263、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多種封裝外形，為客戶設計提供更多更優選擇。主要應用于工業新能源類，儲能光伏逆變器、充電樁、車載充電器、無人機、割草機、電動工具、鋰電保護、通信電源等多種應用領域。

 

4、SiC MOSFET類型：產品擊穿電壓1200V，SiC MOSFET采用溝槽結構以及更優工藝設計，具有較低的柵電荷 Qg，開關頻率高，導通電阻隨溫度的變化低等特點，可廣泛應用于高壓、高溫、高頻、大電流應用領域。主要應用于電動車充電樁、開關電源，光伏逆變器，儲能變流器，車載充電器等領域。

 

<點擊前往選購>