一、公司概況

安海半導體（ANHI Semiconductor）是由具備功率半導體行業超過20年經驗的資深團隊組建而成，專注于高性能功率半導體技術、產品及系統方案的開發。以自主知識產權體系、自主工藝器件技術和產品技術為核心的構建國內首個專注于高性能第三代功率半導體技術領先的公司。為國內電源、動力驅動及能源轉換行業提供從分立器件到模組級解決方案。
 

安海半導體推出基于世界領先的平面高密度工藝與溝槽工藝的第三代寬禁帶功率半導體碳化硅SIC MOSFET產品，并且擁有首份國內碳化硅SIC MOSFET 溝槽結構發明專利。產品性能：高頻率、高功率、高效率、低導通電阻；具有電流密度高、開關速度快、浪涌和短路能力強；電壓覆蓋1200V、1700V、1900V、3300V等廣泛電壓和以上優點。

典型應用領域為：新能源汽車、充電樁、工業電源、光伏逆變、儲能電源、風力發電、軌道交通等。在新能源應用上更能滿足新能源汽車、充電樁高效率和高功率密度的性能要求。

二、品質保障與技術創新

公司注重內部的制度建設和體系管理，在品質管控、節能環保和安全生產方面建立了完整的制度體系，已通過 ISO9001：2015質量體系等認證。公司擁有多項核心專利，在自主研發MOS領域處于國際領先水平。

    

    

三、豐富的器件種類

SIC MOS系列：

安海半導體推出基于世界領先的車規級平面高密度工藝與溝槽工藝的第三代寬禁帶功率半導體碳化硅SIC MOSFET產品，產品性能：高頻率、高功率、高效率、低導通電阻優點。具有電流密度高、開關速度快、浪涌和短路能力強等優點，電壓覆蓋1200V、1700V、1900V,典型應用領域為新能源汽車、充電樁、工業電源、光伏逆變、儲能電源、風力發電、軌道交通等。在應用上更能滿足充電樁高效率和高功率密度的性能要求。

  

超結MOS系列：

安海半導體推出新一代SJ MOSFET系列,采用先進的多層外延技術，優化了元胞結構，具有電流能力強，短路能力好，雪崩特性強，體內二極管反向恢復特性優，dv/dt能力優，EMI特性好，抗浪涌能力強的等特點和優點。 基于電荷平衡，超結核心是pillar柱與N-EPI 電荷平衡，在擊穿狀態下，完全耗盡。DeepTrench工藝，由于Pillar柱一次形成，無法對Pillar濃度做調整。 而多層外延技術，則可以分步進行調整，使器件的魯棒性更強，更寬的SOA區間，具有優異的EMI及抗浪涌能力，性能更加穩定。 主要應用于電子產品充電器，LED照明，車載OBC，充電樁，光伏逆變，DC-DC電源等行業。

  

SGT MOS系列：

安海半導體為客戶提供了豐富的低壓MOSFET產品，采用先進的 SGT MOS技術，極低的 FOM[RDS(on)xQg] 實現了低的導通和開關損耗，便于客戶提高產品效率，做到更高的功率密度。優秀的EAS和SOA參數便于客戶產 品適應不同的負載應用。-40°C-150°C的工作結溫，便于客戶產品在不同工作環境溫度的應用。

  

IGBT系列：

安海半導體可提供大電流系列的IGBT產品，產品工作頻率覆蓋20?50KHZ的應用，具備靜動態損耗低、短路耐受力強的特點， 可靠性高。產品優勢：更窄的mesa設計，更優化的溝槽組合設計，更高的可靠性設計，嚴格參照車規級要求。 產品性能：更快的開關速度，應用頻率達60KHz，更高的電流密度，可達400A/cm-2。 產品應用：OBC、充電樁、焊機、開關電源、光伏逆變器、儲能等。