全球半導(dǎo)體競爭焦點——第三代半導(dǎo)體

2023年以碳化硅、氮化鎵寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體，依然是全球半導(dǎo)體市場爭奪的焦點。隨著碳化硅功率器件材料成本的逐年下降和產(chǎn)品良率的快速提升，除在新能源汽車、風電、光伏、大功率工業(yè)電源產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用外。家電變頻、LED商顯、手機筆電的快充頭也開始大規(guī)模的采用。2023年，將是碳化硅功率器件高速發(fā)展，也是各大品牌搶占核心市場的一年。圍繞國家碳中和、碳達峰目標，國家對供應(yīng)鏈安全的考量、政策支持和資本市場的活躍，2023年第三代半導(dǎo)體將迎來重要的發(fā)展機遇。

 

   

碳化硅功率器件——國產(chǎn)替代空間廣闊

綜覽全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，碳化硅市場目前已形成了供不應(yīng)求與國產(chǎn)替代的產(chǎn)業(yè)競爭格局，目前國際大廠 600-1700V 碳化硅SBD、MOSFET均已實現(xiàn)量產(chǎn)，而國內(nèi)碳化硅 MOSFET 器件制造平臺仍在搭建中，部分公司的產(chǎn)線仍處于計劃階段。碳化硅產(chǎn)品的競爭空間及國產(chǎn)替代空間廣闊。

 

   

第三代半導(dǎo)體核心研發(fā)企業(yè)之一

瑞森半導(dǎo)體專注于功率半導(dǎo)體器件及功率IC的研發(fā)、設(shè)計、銷售，為全球客戶提供功率半導(dǎo)體整體解決方案。公司專注于高質(zhì)、高性能、高穩(wěn)定的產(chǎn)品研發(fā)，核心研發(fā)第三代半導(dǎo)體技術(shù)，并成立瑞森半導(dǎo)體科技（湖南）有限公司，與湖南大學(xué)創(chuàng)建“湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院產(chǎn)教融合基地”，深度進行第三代半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)。是國內(nèi)少數(shù)第三代半導(dǎo)體SiC SBD及MOSFET成功量產(chǎn)的企業(yè)之一，品質(zhì)、性能對標國際一線品牌，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

  

 

瑞森半導(dǎo)體于2018年開始研究、設(shè)計碳化硅功率器件，2019年推出650V 碳化硅二極管系列，2020年又推出了1200V碳化硅二極管和MOS管，是國內(nèi)較早一批致力于碳化硅產(chǎn)品研發(fā)的企業(yè)之一，經(jīng)過多年的產(chǎn)品開發(fā)和技術(shù)升級，不斷推陳出新，2022年成功推出薄片工藝碳化硅二極管，全系列產(chǎn)品具備更低的低VF和更高的浪涌電流能力。目前瑞森半導(dǎo)體SiC MOSFET系列已成功量產(chǎn)650V、1200V 、 1700V(國內(nèi)領(lǐng)先)； SiC SBD系列成功量產(chǎn)650V~1700V (國內(nèi)領(lǐng)先)，3300V 研發(fā)中。

  

 

瞄準第三代半導(dǎo)體市場

瑞森半導(dǎo)體在2023年將擴大第三代半導(dǎo)體的布局，繼續(xù)加大研發(fā)投入，優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計的同時也優(yōu)化生產(chǎn)制程，開發(fā)更低VF值的二極管產(chǎn)品、完善650V和1700V MOS產(chǎn)品系列，還將就更高耐壓、更大電流，模塊化等方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持續(xù)投入研發(fā)。瞄準第三代半導(dǎo)體市場，共促國產(chǎn)碳化硅(SiC)半導(dǎo)體發(fā)展。 

 

   

瑞森半導(dǎo)體入駐立創(chuàng)商城，歡迎咨詢及選購

瑞森半導(dǎo)體專注深耕功率半導(dǎo)體行業(yè)16年，產(chǎn)品性能對標國外知名品牌，產(chǎn)品遠銷海內(nèi)外，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光伏逆變、儲能、工業(yè)控制和消費類電子等領(lǐng)域。瑞森半導(dǎo)體除核心產(chǎn)品碳化硅產(chǎn)品系列外，將陸續(xù)在立創(chuàng)商城上架硅基平面MOS、超結(jié)MOS、低壓MOS、LED驅(qū)動IC、電機驅(qū)動IC等產(chǎn)品系列，更好地服務(wù)于中小制造企業(yè)、電子工程師等，讓客戶可以快速的了解瑞森半導(dǎo)體的各項產(chǎn)品參數(shù)，誠邀廣大客戶在平臺咨詢。

  

 

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