導(dǎo)讀：近日，華為首次公開了一項(xiàng)涉及芯片堆疊技術(shù)的發(fā)明專利。

圖：芯片堆疊技術(shù)專利

近日，根據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)公開的信息，華為公開了一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備專利，專利摘要顯示，該專利是一種半導(dǎo)體封裝技術(shù)，其能夠在保證供電需求的同時(shí)，解決因采用硅通孔技術(shù)而導(dǎo)致的成本高的問題。

芯片大師曾報(bào)道海思升為一級(jí)部門，郭平：用堆疊、面積換性能，在被工藝制造困擾已久的芯片領(lǐng)域，華為在2022年做出了兩個(gè)關(guān)鍵而影響深遠(yuǎn)的決定。

一是提升海思在內(nèi)部架構(gòu)中的地位（二級(jí)變?yōu)橐患?jí)），變相回應(yīng)了外界對(duì)海思前景的擔(dān)憂，作為中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)的一面旗幟，海思將再次在熟悉的逆境中厚積薄發(fā)。

二是首次公開宣布將芯片堆疊技術(shù)作為發(fā)展路徑，用堆疊、面積換性能是當(dāng)前既合理又務(wù)實(shí)的選擇，這一點(diǎn)同中芯國(guó)際類似，而在此之前華為作了為數(shù)不少的相關(guān)技術(shù)儲(chǔ)備。

  

圖：芯片堆疊依賴封裝技術(shù)

實(shí)際上，芯片大師曾多次報(bào)道，華為近年來已經(jīng)在陸續(xù)布局非先進(jìn)工藝芯片（IGBT、車載攝像頭和驅(qū)動(dòng)IC等）和外圍封裝制造。

有了解情況的人士就曾透露，此前華為對(duì)外公開的芯片技術(shù)專利，和此前曝光的“雙芯疊加”技術(shù)（即芯片堆疊技術(shù)）相關(guān)，包含了3D封裝、異構(gòu)等等都在這個(gè)專利范圍之內(nèi)。

圖：3D封裝中的芯片堆疊

2021年12月，華為還投資6億元成立了一家電子制造的全資子公司，工商信息顯示，該企業(yè)名為華為精密制造有限公司，經(jīng)營(yíng)范圍為光通信設(shè)備制造，光電子器件制造，電子元器件制造和半導(dǎo)體分立器件制造。

當(dāng)時(shí)就有華為內(nèi)部人士稱，該公司具備一定規(guī)模的量產(chǎn)和小批量試制（能力），但主要用于滿足自有產(chǎn)品的系統(tǒng)集成需求。“不生產(chǎn)芯片，主要是部分核心器件、模組、部件的精密制造。”

同時(shí)，經(jīng)營(yíng)范圍中提及的“半導(dǎo)體分立器件“主要是分立器件的封裝、測(cè)試。如此來看，華為內(nèi)部對(duì)芯片堆疊路線早有清晰的規(guī)劃，同時(shí)已經(jīng)投入制造環(huán)節(jié)。