傳感器結(jié)構(gòu)
真空傳感器由玻璃襯底、下電極、絕緣層、硅膜片（ 上電極） 、上層密封用的玻璃組成， 其中下電極濺射在玻璃襯底上， 電極上生長一絕緣層； 硅膜是利用硅片的雙面光刻、擴(kuò)散和各向異性腐蝕技術(shù)形成的。該電容式真空傳感器有兩個(gè)腔體， 其中上面的腔體是一個(gè)真空腔， 下面的腔體是鍵合形成的， 這個(gè)腔體不是密封的， 腔內(nèi)氣體與外界氣體相通。電容器的兩平板間的距離可由硅片腐蝕的深度控制， 硅膜片與玻璃電極之間的間隙很小， 這也是硅電容式傳感器靈敏度高的原因。
 
 
真空傳感器特征特征
真空傳感器其特征在于設(shè)有硅尖陣列發(fā)射陰極、金屬陽極、玻璃襯底、發(fā)射腔體和電極引線，金屬陽極濺射在玻璃襯底上，硅尖陣列發(fā)射陰極刻蝕在硅片上，刻蝕有硅尖陣列發(fā)射陰極的硅片與濺射有金屬陽極的玻璃襯底鍵合在一起形成發(fā)射腔體，1對電極引線分別接硅尖陣列發(fā)射陰極和金屬陽極，電極引線分別由硅片和陽極金屬引出外接穩(wěn)壓。
 
真空傳感器的工作原理

真空度是指低于大氣壓力的氣體的稀薄程度，通常以壓力來表示真空度，壓力高意味著真空度低，壓力低意味著真空度高。由于真空傳感器上面的腔體是真空腔體，在大氣壓力下，作為傳感器敏感元件的硅膜片在壓力的作用下會(huì)向上鼓起。當(dāng)真空傳感器下面腔體內(nèi)的真空度不同時(shí)，硅膜片向上鼓起的程度就不同，硅膜片向上鼓起使得電容兩極板之間的距離發(fā)生變化，根據(jù)平板電容的公式可知電容也隨之發(fā)生化，真空度與電容值是對應(yīng)的，電容值隨著真空度的變化而變化。由于電容值與真空度的關(guān)系，電容值的變化通過測量電路轉(zhuǎn)換為電壓或頻率信號(hào)，檢測電壓或頻率信號(hào)可以得到對應(yīng)的真空度。

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